WO2002049104A3 - Leistungsmodul mit verbessertem transienten wärmewiderstand - Google Patents

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Abstract

Ein erfindungsgemäßes elektronisches Leistungsmodul besteht aus mindestens einem elektronischen Leistungsbauelement, einem DCB-Keramiksubstrat, einem Kühlkörper und mindestens einer zusätzlichen Wärmekapazität, wobei a) die elektronischen Leistungsbauelemente über eine Sinterschicht an ihrer Unterseite mit der oberen Kupferschicht des DCB-Keramiksubstrates verbunden sind, b) die obere Kupferschicht des DCB-Keramiksubstrates zur elektrischen Kontaktierung der Leistungsbauelemente in Kupferleiterbahnen strukturiert ist, c) die untere Kupferschicht des DCB-Keramiksubstrates über eine Sinterschicht mit einen Kühlkörper verbunden ist, d) die Oberseiten der Leistungsbauelemente über eine Sinterschicht mit einer zusätzlichen Wärmekapazität verbunden sind.
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JP2002550312A JP2004525503A (ja) 2000-12-13 2001-12-01 改善された一時的熱インピーダンスを有するパワーモジュール
US10/450,202 US6812559B2 (en) 2000-12-13 2001-12-01 Power module with improved transient thermal impedance
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Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6946740B2 (en) * 2002-07-15 2005-09-20 International Rectifier Corporation High power MCM package
DE10310141A1 (de) * 2003-03-07 2004-09-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Schaltungsanordnung für zu kühlende Bauelemente und entsprechendes Kühlungsverfahren
JP4115326B2 (ja) * 2003-04-15 2008-07-09 新光電気工業株式会社 半導体パッケージの製造方法
CN100413060C (zh) 2003-09-04 2008-08-20 松下电器产业株式会社 半导体装置
DE10348421A1 (de) * 2003-10-14 2005-06-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Betriebsschaltung für Lampe mit Kühlkörper
DE102004032368B4 (de) * 2004-06-30 2015-04-09 Robert Bosch Gmbh Kühlungsaufbau für eine Schaltung
DE102004057421B4 (de) * 2004-11-27 2009-07-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004057497B4 (de) * 2004-11-29 2012-01-12 Siemens Ag Wärmeaustauschvorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Wärmeaustauschvorrichtung sowie Anordnung eines Bauelements und der Wärmeaustauschvorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Anordnung
US7391382B1 (en) 2005-04-08 2008-06-24 Raytheon Company Transmit/receive module and method of forming same
US7456789B1 (en) 2005-04-08 2008-11-25 Raytheon Company Integrated subarray structure
US7511664B1 (en) * 2005-04-08 2009-03-31 Raytheon Company Subassembly for an active electronically scanned array
JP4770533B2 (ja) * 2005-05-16 2011-09-14 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
US8120153B1 (en) 2005-09-16 2012-02-21 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. High-temperature, wirebondless, injection-molded, ultra-compact hybrid power module
KR20080065988A (ko) * 2005-09-28 2008-07-15 니뽄 가이시 가부시키가이샤 히트싱크 모듈 및 그 제조방법
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu
EP1783829A1 (de) * 2005-11-02 2007-05-09 Abb Research Ltd. Verfahren zum Befestigen elektronischer Bauelemente
JP4640170B2 (ja) * 2005-12-28 2011-03-02 株式会社豊田自動織機 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置
JP2007251076A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
TWI449137B (zh) * 2006-03-23 2014-08-11 Ceramtec Ag 構件或電路用的攜帶體
US8680666B2 (en) * 2006-05-24 2014-03-25 International Rectifier Corporation Bond wireless power module with double-sided single device cooling and immersion bath cooling
DE102007005234B4 (de) * 2007-01-30 2013-03-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leistungselektronisches Modul mit einer Keramikumhüllung
US8188596B2 (en) * 2007-02-09 2012-05-29 Infineon Technologies Ag Multi-chip module
DE102007022336A1 (de) * 2007-05-12 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitersubstrat mit Metallkontaktschicht sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102007022337A1 (de) * 2007-05-12 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Gesintertes Leistungshalbleitersubstrat sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102007034491A1 (de) * 2007-07-24 2009-02-05 Siemens Ag Modul mit elektronischem Bauelement zwischen zwei Substraten, insbesondere DCB-Keramiksubstraten, dessen Herstellung und Kontaktierung
DE102007022338B4 (de) 2007-07-26 2013-12-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Herstellungsverfahren für ein Leistungshalbleiterbauelement mit Metallkontaktschicht
US8102045B2 (en) * 2007-08-08 2012-01-24 Infineon Technologies Ag Integrated circuit with galvanically bonded heat sink
DE102007037538A1 (de) 2007-08-09 2009-02-12 Robert Bosch Gmbh Baugruppe sowie Herstellung einer Baugruppe
DE102007046969B3 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Siemens Ag Elektronische Schaltung aus Teilschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung und demgemäßer Umrichter oder Schalter
DE102008003788A1 (de) * 2008-01-10 2009-07-16 Robert Bosch Gmbh Elektrische Schaltungsanordnung mit mindestens einem Leistungshalbleiter und Verfahren zu deren Herstellung
US8253233B2 (en) 2008-02-14 2012-08-28 Infineon Technologies Ag Module including a sintered joint bonding a semiconductor chip to a copper surface
DE102008009510B3 (de) * 2008-02-15 2009-07-16 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern
US9583413B2 (en) * 2009-02-13 2017-02-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
DE102009001028B4 (de) 2009-02-20 2011-02-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung
DE102009024371B4 (de) * 2009-06-09 2013-09-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Stromrichteranordnung mit Kühleinrichtung und Stromrichteranordnung
DE102010010097A1 (de) * 2010-03-01 2011-09-01 Esw Gmbh Kompakter Laser-Entfernungsmesser
DE102010029178A1 (de) * 2010-05-20 2011-11-24 Behr Gmbh & Co. Kg Elektronikkühler und Verfahren zum Herstellen eines Elektronikkühlers
DE102010044709B4 (de) * 2010-09-08 2015-07-02 Vincotech Holdings S.à.r.l. Leistungshalbleitermodul mit Metallsinterverbindungen sowie Herstellungsverfahren
DE102010050315C5 (de) * 2010-11-05 2014-12-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Herstellung von gesinterten, elektrischen Baugruppen und damit hergestellte Leistungshalbleitermodule
JP5707896B2 (ja) * 2010-11-24 2015-04-30 三菱マテリアル株式会社 ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
US20120175755A1 (en) * 2011-01-12 2012-07-12 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a heat spreader
JP2012178513A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュールユニット及びパワーモジュールユニットの製造方法
US8804340B2 (en) * 2011-06-08 2014-08-12 International Rectifier Corporation Power semiconductor package with double-sided cooling
JP2013021254A (ja) * 2011-07-14 2013-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8823175B2 (en) 2012-05-15 2014-09-02 Infineon Technologies Ag Reliable area joints for power semiconductors
EP2665092B1 (de) * 2012-05-16 2019-02-27 Microdul AG Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes auf einem Kupfersubstrat mit dazwischenliegender Isolationsschicht
JP6116413B2 (ja) * 2013-07-09 2017-04-19 三菱電機株式会社 電力用半導体装置の製造方法
DE102013214899B4 (de) 2013-07-30 2023-11-16 Valeo Eautomotive Germany Gmbh Leistungselektronikanordnung
DE102014206608A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
DE102014206606A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
DE102014206601A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
DE102014110008A1 (de) * 2014-07-16 2016-01-21 Infineon Technologies Ag Träger, Halbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung
JP6289359B2 (ja) * 2014-12-17 2018-03-07 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
DE202015001441U1 (de) 2015-02-24 2015-03-18 Vincotech Gmbh Leistungshalbleitermodul mit kombinierten Dickfilm- und Metallsinterschichten
ITUB20153344A1 (it) * 2015-09-02 2017-03-02 St Microelectronics Srl Modulo di potenza elettronico con migliorata dissipazione termica e relativo metodo di fabbricazione
US9443792B1 (en) * 2015-10-31 2016-09-13 Ixys Corporation Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor device module
KR101734712B1 (ko) 2015-12-09 2017-05-11 현대자동차주식회사 파워모듈
KR101776425B1 (ko) 2015-12-10 2017-09-08 현대자동차주식회사 파워 모듈
DE202016100481U1 (de) 2016-02-01 2017-05-04 Gebr. Bode Gmbh & Co. Kg Elektronikmodul mit einer Leistungshalbleiteranordnung
DE102016119485A1 (de) 2016-10-12 2018-04-12 Infineon Technologies Ag Chipträger mit elektrisch leitfähiger Schicht, die sich über eine wärmeleitfähige dielektrische Sheet-Struktur hinaus erstreckt
DE102017205813A1 (de) * 2017-04-05 2018-10-11 Mahle International Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Kühlvorrichtung, eine Kühlvorrichtung und eine Kühlanordnung
DE102017212902A1 (de) * 2017-07-27 2019-01-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Baugruppe mit Sinterverbindung und elektronische Baugruppe mit Sinterverbindung
DE102019207012A1 (de) * 2019-05-15 2020-11-19 Zf Friedrichshafen Ag Elektronikmodul zur Leistungssteuerung
DE102019208330A1 (de) * 2019-06-07 2020-12-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines Verbindungs-Bereichs auf einem Substrat für eine elektrische Baugruppe und Substrat dazu
US11063495B2 (en) 2019-07-01 2021-07-13 Nidec Motor Corporation Heatsink clamp for multiple electronic components
CN111029307A (zh) * 2019-12-31 2020-04-17 广东芯聚能半导体有限公司 电路器件壳体、晶体管件、功率模块及散热底板
US20220068753A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Delphi Technologies Ip Limited Electronic power package and heat sink/cold rail arrangement

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS599953A (ja) * 1982-07-07 1984-01-19 Meidensha Electric Mfg Co Ltd パワ−トランジスタの並列接続体
EP0376478A2 (de) * 1988-12-29 1990-07-04 York International Corporation Montier- und Kühlsystem für Leistungshalbleiteranordnungen
DE19647590A1 (de) * 1996-11-18 1998-05-20 Abb Research Ltd Hochleistungs-Halbleitermodul
DE19700963A1 (de) * 1997-01-14 1998-07-16 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit einer aktive Halbleiterbauelemente und passive Halbleiterbauelemente aufweisenden Schaltungsanordnung
EP0862209A2 (de) * 1997-03-01 1998-09-02 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates und Metall-Keramik-Substrat
EP0901166A1 (de) * 1997-08-16 1999-03-10 Abb Research Ltd. Leistungshalbleitermodul mit in Submodulen integrierten Kühlern
US5966291A (en) * 1996-11-06 1999-10-12 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Power module for the control of electric motors
FR2786657A1 (fr) * 1998-11-27 2000-06-02 Alstom Technology Composant electronique de puissance comportant des moyens de refroidissement et procede de fabrication d'un tel composant

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6038867B2 (ja) * 1981-06-05 1985-09-03 株式会社日立製作所 絶縁型半導体装置
DE3414065A1 (de) * 1984-04-13 1985-12-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
DE3504992A1 (de) * 1985-02-14 1986-08-14 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul mit integriertem waermerohr
IN168174B (de) * 1986-04-22 1991-02-16 Siemens Ag
US5529852A (en) * 1987-01-26 1996-06-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Aluminum nitride sintered body having a metallized coating layer on its surface
DE4040753A1 (de) * 1990-12-19 1992-06-25 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement
DE4315272A1 (de) * 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
JP3127754B2 (ja) * 1995-01-19 2001-01-29 富士電機株式会社 半導体装置
US5786230A (en) * 1995-05-01 1998-07-28 Motorola, Inc. Method of fabricating multi-chip packages
JP3845925B2 (ja) * 1996-02-05 2006-11-15 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
US5930666A (en) * 1997-10-09 1999-07-27 Astralux, Incorporated Method and apparatus for packaging high temperature solid state electronic devices
JP2000082774A (ja) * 1998-06-30 2000-03-21 Sumitomo Electric Ind Ltd パワ―モジュ―ル用基板およびその基板を用いたパワ―モジュ―ル
JP2001135758A (ja) * 1999-11-04 2001-05-18 Toyota Autom Loom Works Ltd パワーモジュールの放熱構造

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS599953A (ja) * 1982-07-07 1984-01-19 Meidensha Electric Mfg Co Ltd パワ−トランジスタの並列接続体
EP0376478A2 (de) * 1988-12-29 1990-07-04 York International Corporation Montier- und Kühlsystem für Leistungshalbleiteranordnungen
US5966291A (en) * 1996-11-06 1999-10-12 Temic Telefunken Microelectronic Gmbh Power module for the control of electric motors
DE19647590A1 (de) * 1996-11-18 1998-05-20 Abb Research Ltd Hochleistungs-Halbleitermodul
DE19700963A1 (de) * 1997-01-14 1998-07-16 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit einer aktive Halbleiterbauelemente und passive Halbleiterbauelemente aufweisenden Schaltungsanordnung
EP0862209A2 (de) * 1997-03-01 1998-09-02 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates und Metall-Keramik-Substrat
EP0901166A1 (de) * 1997-08-16 1999-03-10 Abb Research Ltd. Leistungshalbleitermodul mit in Submodulen integrierten Kühlern
FR2786657A1 (fr) * 1998-11-27 2000-06-02 Alstom Technology Composant electronique de puissance comportant des moyens de refroidissement et procede de fabrication d'un tel composant

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 008, no. 091 (E - 241) 26 April 1984 (1984-04-26) *

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